当前位置:武汉威士得工控自动化有限公司 >> 产品展示 >> 日本三菱自动化控制系列 >> 三菱功率模块 >> HVlGBT模块

HVlGBT模块

性能特点

H系列:采用平板型IGBT硅片,其可靠性已得到业界公认
N系列:采用 CSTBTTM硅片,进一步降低损耗,缩小体积
N系列B型:采用 CSTBTTM硅片,封装与H系列兼容
续流二极管:软恢复特性,保证良好的EMI性能
基板:有Cu和AlSiC两种
额定电压:从1700V到6500V
额定电流:从200A到2400A
绝缘电压:从4.0kVrms到10.2kVrms

应用领域

牵引和大功率变频传动
电力传输
DC斩波器装置

   

HVIGBT Modules

VCES(V) 产品
代数
(基板
材料)
电路拓扑 Ic(A)
200 400 600 800 900 1000 1200 1500 1600 1800 2400
1700 G1
(Cu)
1

CM800HA
-34H
  CM1200HA
-34H
 
2

CM600DY
-34H
斩波单元 CM600E2Y
-34H
G3
(AlSiC)
1

  CM1200HC
-34H
  CM1600HC
-34H
CM1800HC
-34H
CM2400HC
-34H
2

CM800DZ
-34H
G4
(Cu)
2

CM800DZB
-34N
  CM1200DB
-34N
 
G4
(AlSiC)
1

  CM1200HCB
-34N
  CM1800HC
-34N
CM2400HC
-34N
CM1800HCB
-34N
CM2400HCB
-34N
2

  CM1200DC
-34N
 
斩波单元   CM1200E4C
-34N
 
2500 G1
(Cu)
1

CM800HA
-50H
  CM1200HA
-50H
 
2

CM400DY
-50H
G2
(Cu)
1

CM800HB
-50H
  CM1200HB
-50H
 
G3
(AlSiC)
1

  CM1200HC
-50H
 
3300 G1
(Cu)
1

CM800HA
-66H
  CM1200HA
-66H
 
2

CM400DY
-66H
斩波单元 CM800E2Z
-66H
G2
(Cu)
1

CM800
HB
-66H
  CM1200HB
-66H
 
G3
(AlSiC)
1

CM800HC
-66H
  CM1200HC
-66H
 
斩波单元 CM800E2C
-66H
CM800E4C
-66H
CM800E6C
-66H
G4
(AlSiC)
1

CM400HG
-66H
CM800HG
-66H
CM1000E4C-66R
CM1200HG
-66H
CM1500HC-66R
4500 G2
(Cu)
1

CM400HB
-90H
CM600HB
-90H
CM900HB
-90H
G3
(AlSiC)
1

CM900HC
-90H
G4
(AlSiC)
1

CM600HG
-90H
CM900HG
-90H
6500 G4
(AlSiC)
1

CM200HG
-130H
CM400HG
-130H
CM600HG
-130H
斩波单元 CM400E2G
-130H
CM400E4G
-130H

 

QQ客服热线